บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > PMGD290UCEAX
ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม
PMGD290UCEAX
| EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์: | EX-PMGD290UCEAX |
|---|---|
| ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์: | PMGD290UCEAX |
| ผู้ผลิต / ยี่ห้อ: | Nexperia |
| คำอธิบายสั้น ๆ: | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS |
| เงื่อนไข: | New and unused, Original |
| แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด: | PMGD290UCEA |
| ใบสมัคร: | - |
| น้ำหนัก: | - |
| ทางเลือกทดแทน: | - |
พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ
PMGD290UCEAX
มีสินค้าในสต๊อก: 40782000 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
มีสินค้าในสต๊อก: 40782000 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
- ลักษณะ
- การชำระเงิน
- การส่งสินค้า
- บรรจุภัณฑ์
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 1.3V @ 250µA |
|---|---|
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-TSSOP |
| ชุด | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 280mW |
| บรรจุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ชื่ออื่น | 1727-1354-2 568-10794-2 568-10794-2-ND 934067604115 PMGD290UCEAX-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | PMGD290UCEAX |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 83pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| ประเภท FET | N and P-Channel |
| คุณสมบัติ FET | Logic Level Gate |
| ขยายคำอธิบาย | Mosfet Array N and P-Channel 20V 725mA, 500mA 280mW Surface Mount 6-TSSOP |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 20V |
| ลักษณะ | MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 725mA, 500mA |
คนอื่น ๆ
| แพคเกจมาตรฐาน | 3,000 |
|---|---|
| ชื่ออื่น | 1727-1354-2 568-10794-2 568-10794-2-ND 934067604115 PMGD290UCEAX-ND |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ
|
|
T / T (โอนเงินผ่านธนาคาร) รับ: 1-4 วัน |
|
|
Paypal รับ: ทันที |
|
|
เวสเทิร์นยูเนี่ยน รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
MoneyGram รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
Alipay รับ: ทันที |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ
หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ
 |
DHL Express เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
เฟดเอ็กซ์เอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
ด่วนของ UPS เวลาส่ง: 2-4 วัน |
 |
ทีเอ็นทีเอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 3-6 วัน |
 |
EMS ด่วน เวลาส่ง: 7-10 วัน |
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
-
ภาพหมายเลขชิ้นส่วนผู้ผลิตคำอธิบายสั้น ๆแผ่นข้อมูลมีสินค้าราคาสินค้าสั่งซื้อออนไลน์ -
PMGD175XN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOPดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
PMGD280UN115NXPPMGD280UN115 NXP SMD DIP new date code and low priceดูการสอบสวน -
PMGD280UN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOPดาวน์โหลดดูUS$ 0.105การสอบสวน -
PMGD280UNPHILIPS NXPDual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET ICดูการสอบสวน -
PMGD370XN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.74A 6TSSOPดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
PMGD290XN+115NXPPMGD290XN+115 NXP SOT-23-6 new date code and low priceดูการสอบสวน -
PMGD400UNPHILIPS NXPDual N-channel mTrenchMOS ultra low level FET ICดูการสอบสวน -
PMGD370XN.115NXPNew Stocks PMGD370XN.115 NXP SMD or Through Holeดูการสอบสวน -
PMGD370XNPHILIPS NXPDual N-channel mTrenchMOS-TM extremely low level FET ICดูการสอบสวน -
PMGD370XN,115-CTNXPNew Stocks PMGD370XN,115-CT NXP SMD or Through Holeดูการสอบสวน -
PMGD280UN.115PHAPMGD280UN.115 PHA SMD or Through Hole new date code and low priceดูการสอบสวน -
pmgd280un-115ORIGINALpmgd280un-115 ORIGINAL SMD or Through Hole new date code and low priceดูการสอบสวน -
PMGD280UN/T0663A04111INFINEONPMGD280UN/T0663A04111 INFINEON SMD or Through Hole new date code and low priceดูการสอบสวน -
PMGD175XNEXNexperia USA Inc.MOSFET ARRAY 2NCH 30V 6-TSSOPดาวน์โหลดดูUS$ 0.101การสอบสวน -
PMGD290XN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOPดาวน์โหลดดูUS$ 0.105การสอบสวน -
PMGD-57PMIGATE DRIVE & BASE DRIVE TRANSFORMERSดูการสอบสวน -
PMGD290XNPHILIPS NXPDual N-channel mTrenchMOS extremely low level FET ICดูการสอบสวน -
PMGD130UN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOPดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
PMGD400UN,115NXP USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOPดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
PMGD290XN115NXPPMGD290XN115 NXP SOT23-6 new date code and low priceดูการสอบสวน
ผู้จัดจำหน่าย Nexperia USA Inc.
- ตั้งแต่ 60 ปีที่ผ่านมา Nichicon มุ่งมั่นที่จะเป็น "ซัพพลายเออร์ที่มีคุณค่าสำหรับลูกค้าของเรา" ด้วยการปรับสมดุลเทคโนโลยีขั้นสูงมาตรการควบคุมคุณภาพที่เข้มงวดและบริการที่เหนือกว่า เรากำลังทำการวิจัยและใช้เทคโนโลยีที่เป็นนวัตกรรมเพื่อให้เกิดประโยชน์แก่ลูกค้าของเราอย่างต่อเนื่องในขณะที่เสนอทางเลือกของตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ที่มีอยู่ในอุตสาหกรรมมากที่สุด นอกจากนี้เรายังมีตัวเก็บประจุโพลิเมอร์ที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าที่กว้างขวางที่สุดในโลก
ในด้านการแข่งขันทางด้านอิเล็กทรอนิคส์ปรัชญา "zero-defect" ของ Nichicon ช่วยให้ชิ้นส่วนของเราสามารถทนต่อการใช้งานได้หลากหลาย เราภูมิใจในความหลากหลายของตัวเก็บประจุที่นำเสนอรวมถึงการติดตั้งบนพื้นผิวสแน็ปอินผ่านรูและขั้วสกรู นอกจากนี้ บริษัท ของเรายังคงรักษามาตรฐานด้านสิ่งแวดล้อมที่เข้มงวดรวมทั้งการผลิตเฉพาะส่วนประกอบที่ได้รับการรับรอง RoHS และ REACH เท่านั้น