JANTXV1N5621

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JANTXV1N5621
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JANTXV1N5621
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	1N5615 - 1N5623
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JANTXV1N5621
มีสินค้าในสต๊อก: 77030 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.6V @ 3A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	800V
ความเร็ว	Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/429
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	300ns
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	A, Axial
ชื่ออื่น	1086-2833 1086-2833-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน	14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JANTXV1N5621
ขยายคำอธิบาย	Diode Standard 800V 1A Through Hole
ประเภทไดโอด	Standard
ลักษณะ	DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	500nA @ 800V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	1A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	20pF @ 12V, 1MHz

แพคเกจมาตรฐาน	1
ชื่ออื่น	1086-2833 1086-2833-MIL

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ