JANTX2N6796

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JANTX2N6796
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JANTX2N6796
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	MOSFET N-CH 100V 8A
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	2N6796,98, 6800,02
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JANTX2N6796
มีสินค้าในสต๊อก: 87392 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	4V @ 250µA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-205AF (TO-39)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/557
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	195 mOhm @ 8A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	800mW (Ta), 25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
ชื่ออื่น	JANTX2N6796-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JANTX2N6796
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	-
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28.51nC @ 10V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
ขยายคำอธิบาย	N-Channel 100V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	100V
ลักษณะ	MOSFET N-CH 100V 8A
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	8A (Tc)

ชื่ออื่น	JANTX2N6796-MIL
แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ