JANTX1N6663

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JANTX1N6663
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JANTX1N6663
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE GEN PURP 600V 500MA DO35
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	1N6661 thru 1N6663
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JANTX1N6663
มีสินค้าในสต๊อก: 1742 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1V @ 400mA
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	DO-35
ความเร็ว	Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/587
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	DO-204AH, DO-35, Axial
ชื่ออื่น	1086-15444-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JANTX1N6663
ขยายคำอธิบาย	Diode Standard 600V 500mA Through Hole DO-35
ประเภทไดโอด	Standard
ลักษณะ	DIODE GEN PURP 600V 500MA DO35
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	50nA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	500mA
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	-

แพคเกจมาตรฐาน	1
ชื่ออื่น	1086-15444-MIL

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ