JANTX1N6620U

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JANTX1N6620U
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JANTX1N6620U
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	JANTX1N6620U
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JANTX1N6620U
มีสินค้าในสต๊อก: 75664 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.4V @ 1.2A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	200V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	D-5A
ความเร็ว	Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/585
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	30ns
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SQ-MELF, A
ชื่ออื่น	1086-19954 1086-19954-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-65°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JANTX1N6620U
ขยายคำอธิบาย	Diode Standard 200V 1.2A Surface Mount D-5A
ประเภทไดโอด	Standard
ลักษณะ	DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	500nA @ 200V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	1.2A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	-

ชื่ออื่น	1086-19954 1086-19954-MIL
แพคเกจมาตรฐาน	100

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ