JAN1N5809US

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JAN1N5809US
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JAN1N5809US
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	1N5807,09,11 US/URS
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JAN1N5809US
มีสินค้าในสต๊อก: 14870 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	875mV @ 4A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	100V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	B, SQ-MELF
ความเร็ว	Fast Recovery = 200mA (Io)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/477
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	30ns
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SQ-MELF, B
ชื่ออื่น	1086-2125 1086-2125-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-65°C ~ 175°C
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน	8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JAN1N5809US
ขยายคำอธิบาย	Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
ประเภทไดโอด	Standard
ลักษณะ	DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	5µA @ 100V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	6A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

แพคเกจมาตรฐาน	1
ชื่ออื่น	1086-2125 1086-2125-MIL

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ