JAN1N1616R

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-JAN1N1616R
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	JAN1N1616R
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AA
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	1N614-16(R),1N4458-59(R)
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

JAN1N1616R
มีสินค้าในสต๊อก: 79519 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.5V @ 15A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	600V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	DO-203AA (DO-4)
ความเร็ว	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500/162
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	DO-203AA, DO-4, Stud
ชื่ออื่น	1086-16268 1086-16268-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-65°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Chassis, Stud Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	JAN1N1616R
ขยายคำอธิบาย	Diode Standard, Reverse Polarity 600V 15A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
ประเภทไดโอด	Standard, Reverse Polarity
ลักษณะ	DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AA
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	50µA @ 600V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	15A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	-

ชื่ออื่น	1086-16268 1086-16268-MIL
แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ