APTM20DAM10TG

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APTM20DAM10TG
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APTM20DAM10TG
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	MOSFET N-CH 200V 175A SP4
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	Power Products Catalog
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APTM20DAM10TG
มีสินค้าในสต๊อก: 84181 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	5V @ 5mA
เทคโนโลยี	MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SP4
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 87.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด)	694W (Tc)
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SP4
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APTM20DAM10TG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	13700pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	224nC @ 10V
ประเภท FET	N-Channel
คุณสมบัติ FET	-
ขยายคำอธิบาย	N-Channel 200V 175A 694W (Tc) Chassis Mount SP4
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	200V
ลักษณะ	MOSFET N-CH 200V 175A SP4
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	175A

แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ