APTM100H18FG

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APTM100H18FG
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APTM100H18FG
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	APTM100H18FG Power Products Catalog
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APTM100H18FG
มีสินค้าในสต๊อก: 6782 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id	5V @ 5mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SP6
ชุด	-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs	210 mOhm @ 21.5A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์	780W
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SP6
อุณหภูมิในการทำงาน	-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน	22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APTM100H18FG
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	10400pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	372nC @ 10V
ประเภท FET	4 N-Channel (H-Bridge)
คุณสมบัติ FET	Standard
ขยายคำอธิบาย	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 43A 780W Chassis Mount SP6
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	1000V (1kV)
ลักษณะ	MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส	43A

แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ