APT10SCD65K

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APT10SCD65K
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APT10SCD65K
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	DIODE SILICON 650V 17A TO220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	APT10SCD65K
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APT10SCD65K
มีสินค้าในสต๊อก: 72810 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก	1.8V @ 10A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด)	650V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-220 [K]
ความเร็ว	No Recovery Time > 500mA (Io)
ชุด	-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR)	0ns
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-220-2
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction	-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน	22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APT10SCD65K
ขยายคำอธิบาย	Diode Silicon Carbide Schottky 650V 17A Through Hole TO-220 [K]
ประเภทไดโอด	Silicon Carbide Schottky
ลักษณะ	DIODE SILICON 650V 17A TO220
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	200µA @ 650V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ)	17A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F	300pF @ 1V, 1MHz

แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ