ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม
S12QR
| EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์: | EX-S12QR |
|---|---|
| ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์: | S12QR |
| ผู้ผลิต / ยี่ห้อ: | GeneSiC Semiconductor |
| คำอธิบายสั้น ๆ: | DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS |
| เงื่อนไข: | New and unused, Original |
| แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด: | S12K~S12QRDO-4 (DO-203AA) Pkg Drawing |
| ใบสมัคร: | - |
| น้ำหนัก: | - |
| ทางเลือกทดแทน: | - |
พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ
S12QR
มีสินค้าในสต๊อก: 97560 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
มีสินค้าในสต๊อก: 97560 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
- ลักษณะ
- การชำระเงิน
- การส่งสินค้า
- บรรจุภัณฑ์
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1V @ 12A |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200V (1.2kV) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด | - |
| บรรจุภัณฑ์ | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ชื่ออื่น | S12QRGN |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | S12QR |
| ขยายคำอธิบาย | Diode Standard, Reverse Polarity 1200V (1.2kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| ประเภทไดโอด | Standard, Reverse Polarity |
| ลักษณะ | DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10µA @ 50V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
คนอื่น ๆ
| แพคเกจมาตรฐาน | 5 |
|---|---|
| ชื่ออื่น | S12QRGN |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ
|
|
T / T (โอนเงินผ่านธนาคาร) รับ: 1-4 วัน |
|
|
Paypal รับ: ทันที |
|
|
เวสเทิร์นยูเนี่ยน รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
MoneyGram รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
Alipay รับ: ทันที |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ
หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ
 |
DHL Express เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
เฟดเอ็กซ์เอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
ด่วนของ UPS เวลาส่ง: 2-4 วัน |
 |
ทีเอ็นทีเอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 3-6 วัน |
 |
EMS ด่วน เวลาส่ง: 7-10 วัน |
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
-
ภาพหมายเลขชิ้นส่วนผู้ผลิตคำอธิบายสั้น ๆแผ่นข้อมูลมีสินค้าราคาสินค้าสั่งซื้อออนไลน์ -
S12R-2405PLOETHS12R-2405 PLOETH SIP5 new date code and low priceดูการสอบสวน -
S12SPIV2/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICดูการสอบสวน -
S12SCIV2DMOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12PIMDT128V1DMOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12PIMH256V1/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICดูการสอบสวน -
S12P-XL-HDS/LF/SNJSTGMBHLow Price S12P-XL-HDS/LF/SN JSTGMBH SMD or Through Holeดูการสอบสวน -
S12SPIV2MOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12QGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 1200V 12A DO4ดาวน์โหลดดูUS$ 5.419การสอบสวน -
S12SCIV2/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICดูการสอบสวน -
S12SCIV2MOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12SA01AXNE01GENERALS12SA01AXNE01 SMD or Through Hole Original Package Stockดูการสอบสวน -
S12PIMDT128V1MOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12PWM8B6CV1/DFREESCALEDevice User Guide V01.18 ICดูการสอบสวน -
S12PXLHDSJSTS12PXLHDS JST SMD or Through Hole new date code and low priceดูการสอบสวน -
S12R15EXSHINE1 AND 2 WATT DC/DC CONVERTERSดูการสอบสวน -
S12OSCV2DMOTOROLAMC9S12DT128 Device User Guide V02.09 ICดูการสอบสวน -
S12SPIV2DMOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12PWM8B8CV1MOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน -
S12T3E-H1TycoS12T3E-H1 Tyco con new date code and low priceดูการสอบสวน -
S12PWM8B8CV1DMOTOROLAMC9S12DT128B ICดูการสอบสวน
ผู้จัดจำหน่าย GeneSiC Semiconductor
- บริษัท Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ก่อตั้งขึ้นในปีพศ. 2550 คือ บริษัท ด้านการพัฒนาและการผลิตแบบครบวงจรที่ทุ่มเทให้กับผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ผลิตภัณฑ์เหล่านี้จะเป็นพื้นฐานสำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์กำลังและอุตสาหกรรมพลังงานในปีต่อ ๆ ไปซึ่งจำเป็นต้องใช้เทคโนโลยีขั้นสูงเพื่อการผลิตการแปลงและการจ่ายพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูงต้นทุนต่ำ