ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม
KBPM208G
| EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์: | EX-KBPM208G |
|---|---|
| ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์: | KBPM208G |
| ผู้ผลิต / ยี่ห้อ: | GeneSiC Semiconductor |
| คำอธิบายสั้น ๆ: | DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS |
| เงื่อนไข: | New and unused, Original |
| แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด: | KBPM206G~210GKBJ($A),KBJ_GBJ(xA),GBPC-W,GBU Dwg |
| ใบสมัคร: | - |
| น้ำหนัก: | - |
| ทางเลือกทดแทน: | - |
พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ
KBPM208G
มีสินค้าในสต๊อก: 92341 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
มีสินค้าในสต๊อก: 92341 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์
- ลักษณะ
- การชำระเงิน
- การส่งสินค้า
- บรรจุภัณฑ์
พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800V |
|---|---|
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1V @ 2A |
| เทคโนโลยี | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBPM |
| ชุด | - |
| บรรจุภัณฑ์ | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBPM |
| ชื่ออื่น | KBPM208GGN |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต | KBPM208G |
| ขยายคำอธิบาย | Bridge Rectifier Single Phase 800V 2A Through Hole KBPM |
| ประเภทไดโอด | Single Phase |
| ลักษณะ | DIODE BRIDGE 800V 2A KBPM |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5µA @ 50V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2A |
คนอื่น ๆ
| แพคเกจมาตรฐาน | 1,000 |
|---|---|
| ชื่ออื่น | KBPM208GGN |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ
|
|
T / T (โอนเงินผ่านธนาคาร) รับ: 1-4 วัน |
|
|
Paypal รับ: ทันที |
|
|
เวสเทิร์นยูเนี่ยน รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
MoneyGram รับ: 1-2 ชั่วโมง |
|
|
Alipay รับ: ทันที |
คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ
หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ
 |
DHL Express เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
เฟดเอ็กซ์เอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 1-3 วัน |
 |
ด่วนของ UPS เวลาส่ง: 2-4 วัน |
 |
ทีเอ็นทีเอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 3-6 วัน |
 |
EMS ด่วน เวลาส่ง: 7-10 วัน |
ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง
-
ภาพหมายเลขชิ้นส่วนผู้ผลิตคำอธิบายสั้น ๆแผ่นข้อมูลมีสินค้าราคาสินค้าสั่งซื้อออนไลน์ -
KBPM308GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 800V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM301GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 100V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM206GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 600V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM 8421(B)OMRON/New Stocks KBPM 8421(B) OMRON/ SMD or Through Holeดูการสอบสวน -
KBPM206ORIGINALKBPM206 ORIGINAL KBP New in stockดูการสอบสวน -
KBPM302GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 200V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM3005GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 50V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM204GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM201GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 100V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM 8421(H)OMRON/New Stocks KBPM 8421(H) OMRON/ SMD or Through Holeดูการสอบสวน -
KBPM307ORIGINALKBPM307 KBP Original Package Stockดูการสอบสวน -
KBPM202GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 200V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM310GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 1000V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM2005GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 50V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM208BORIGINALNew Stocks KBPM208B ORIGINAL DIP4ดูการสอบสวน -
KBPM304GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 400V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM210GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 1000V 2A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM8421OMRON/KBPM8421 OMRON/ null New Original Stocksดูการสอบสวน -
KBPM306GGeneSiC SemiconductorDIODE BRIDGE 600V 3A KBPMดาวน์โหลดดูการสอบสวน -
KBPM-8421OMRON/KBPM-8421 OMRON/ null New Original Stocksดูการสอบสวน
ผู้จัดจำหน่าย GeneSiC Semiconductor
- บริษัท Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ก่อตั้งขึ้นในปีพศ. 2550 คือ บริษัท ด้านการพัฒนาและการผลิตแบบครบวงจรที่ทุ่มเทให้กับผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยีซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ผลิตภัณฑ์เหล่านี้จะเป็นพื้นฐานสำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์กำลังและอุตสาหกรรมพลังงานในปีต่อ ๆ ไปซึ่งจำเป็นต้องใช้เทคโนโลยีขั้นสูงเพื่อการผลิตการแปลงและการจ่ายพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูงต้นทุนต่ำ