STT และ Tokyo Electron เพื่อร่วมพัฒนากระบวนการผลิต ST-MRAM

การรวมกันของเทคโนโลยี ST-MRAM ของ STT และเครื่องมือสะสม PVD MR ของ TEL จะทำให้ บริษัท สามารถพัฒนากระบวนการสำหรับ ST-MRAM ได้

STT มีส่วนร่วมในการออกแบบอุปกรณ์เชื่อมต่ออุโมงค์แม่เหล็กแบบตั้งฉาก (pMTJ) และเทคโนโลยีการประดิษฐ์อุปกรณ์และ TEL มีส่วนร่วมในเครื่องมือสะสม ST-MRAM และความรู้เกี่ยวกับความสามารถในการสร้างภาพยนตร์แม่เหล็ก

STT และ TEL จะแสดงให้เห็นถึงโซลูชันที่หนาแน่นกว่าโซลูชัน ST-MRAM อื่น ๆ ในขณะที่ขจัดอุปสรรคในการเปลี่ยน SRAM

sub-30nm pMTJ ซึ่งมีขนาดเล็กกว่าโซลูชันเชิงพาณิชย์อื่น ๆ 40 ถึง 50 เปอร์เซ็นต์ควรเป็นที่น่าสนใจสำหรับวงจรรวมลอจิกขั้นสูงและเป็นขั้นตอนสำคัญในการสร้างอุปกรณ์ ST-MRAM DRAM ระดับ

STT

"ทุ่ง Sparkman ซีอีโอของ STT กล่าวว่า" อุตสาหกรรมมีความสามารถในการผลิต SRAM และ DRAM ออกสู่ตลาดมากขึ้น "ทอมสปาร์แมนซีอีโอของ STT กล่าวว่า" บริษัท TEL ซึ่งเป็นผู้จัดหาอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล ST-MRAM ชั้นนำของโลกในฐานะคู่ค้าเร่งความเร็ว พัฒนาเทคโนโลยีของ STT สำหรับการเปลี่ยน SRAM และ DRAM เราเชื่อว่าการนำ ST-MRAM ไปใช้จะมากเกินความคาดหมายในปัจจุบันและเรารู้สึกตื่นเต้นที่ได้ทำงานร่วมกับ TEL เพื่อปฏิวัติตลาด ST-MRAM โดยการบรรลุความรวดเร็วความหนาแน่นและความทนทานต่อความต้องการของอุตสาหกรรม "

โตเกียวอิเลคตรอน

"เราพร้อมที่จะพัฒนาอุปกรณ์สมรรถนะสูงความหนาแน่นสูงสำหรับตลาด SRAM และในที่สุดตลาดทดแทน DRAM" ทีมงานของ STT พร้อมด้วยผู้เชี่ยวชาญด้านอุปกรณ์ความรู้ความชำนาญด้านอุปกรณ์และโรงงานผลิตของ บริษัท กล่าว Yoichi Ishikawa ของโทรศัพท์