HN3C51F-GR(TE85L,F

บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ > HN3C51F-GR(TE85L,F

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-HN3C51F-GR(TE85L,F
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	HN3C51F-GR(TE85L,F
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายสั้น ๆ:	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	HN3C51F
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

HN3C51F-GR(TE85L,F
มีสินค้าในสต๊อก: 72164 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

ลักษณะ
การชำระเงิน
การส่งสินค้า
บรรจุภัณฑ์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์	2 NPN (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SM6
ชุด	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	300mW
บรรจุภัณฑ์	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SC-74, SOT-457
ชื่ออื่น	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	HN3C51F-GR(TE85L,F
ความถี่ - การเปลี่ยน	100MHz
ขยายคำอธิบาย	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
ลักษณะ	TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE	200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	100mA

คนอื่น ๆ

ชื่ออื่น	HN3C51F-GR(TE85L,F) HN3C51F-GR(TE85LF)TR HN3C51F-GR(TE85LF)TR-ND HN3C51F-GR(TE85LFTR HN3C51F-GRTE85LF HN3C51FGR(TE85LFTR HN3C51FGR(TE85LFTR-ND
แพคเกจมาตรฐาน	3,000

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

	T / T (โอนเงินผ่านธนาคาร) รับ: 1-4 วัน
	Paypal รับ: ทันที
	เวสเทิร์นยูเนี่ยน รับ: 1-2 ชั่วโมง
	MoneyGram รับ: 1-2 ชั่วโมง
	Alipay รับ: ทันที

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ

	DHL Express เวลาส่ง: 1-3 วัน
	เฟดเอ็กซ์เอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 1-3 วัน
	ด่วนของ UPS เวลาส่ง: 2-4 วัน
	ทีเอ็นทีเอ็กซ์เพรส เวลาส่ง: 3-6 วัน
	EMS ด่วน เวลาส่ง: 7-10 วัน

ผู้จัดจำหน่าย Toshiba Semiconductor and Storage

- Touchstone Semiconductor Inc. สร้างโซลูชันระบบอนาล็อก (IC) ที่มีประสิทธิภาพสูงเพื่อแก้ไขปัญหาที่สำคัญสำหรับ บริษัท อิเล็กทรอนิกส์ ผลิตภัณฑ์ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของเรานำเสนอคุณสมบัติและประสิทธิภาพที่ไม่เหมือนใครในตลาดแอนะล็อก ผลิตภัณฑ์รุ่นที่สองของเรามีคุณสมบัติตรงตามข้อกำหนดของ PIN และมีคุณสมบัติคล้ายคลึงกับข้อเสนอในการแข่งขันซึ่งเป็นทางเลือกที่เหมาะสำหรับผลิตภัณฑ์ที่มาจากแหล่งผลิตที่มีความปลอดภัยเพียงอย่างเดียว ก่อตั้งขึ้นในปีพ. ศ. 2553 สำนักงาน Touchstone มีสำนักงานใหญ่อยู่ที่เมืองมิลพีทัสรัฐแคลิฟอร์เนียและมีทุนการศึกษา Opus Capital และ Khosla Ventures
ภารกิจของเราที่ Touchstone Semiconductor คือการออกแบบ IC แบบอะนาล็อกประสิทธิภาพสูงที่ช่วยให้คุณสามารถแก้ปัญหาของลูกค้าได้ เราทำเช่นนี้โดยการพัฒนา IC IC แบบใช้พลังงานต่ำที่มีประสิทธิภาพต่ำเพื่อลดการใช้พลังงานในผลิตภัณฑ์ของคุณ

คำที่ใช้ค้นหา

Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
แผ่นข้อมูล HN3C51F-GR(TE85L,F
แผ่นข้อมูล HN3C51F-GR(TE85L,F
แผ่นข้อมูล PDF HN3C51F-GR(TE85L,F
ราคา HN3C51F-GR(TE85L,F
ภาพ HN3C51F-GR(TE85L,F
ซื้อ HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage HN3C51F-GR(TE85L,F
Toshiba HN3C51F-GR(TE85L,F
HN3C51F
HN3C5