MV2N5114

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-MV2N5114
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	MV2N5114
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	P CHANNEL JFET
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	2N5114-16, Mx2N5114-16
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

MV2N5114
มีสินค้าในสต๊อก: 69768 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - ลัด (VGS ออก) @ Id	10V @ 1nA
แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย (V (BR) GSS)	30V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	TO-18 (TO-206AA)
ชุด	Military, MIL-PRF-19500
ต้านทาน - RDS (on)	75 Ohm
เพาเวอร์ - แม็กซ์	500mW
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
อุณหภูมิในการทำงาน	-65°C ~ 200°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	MV2N5114
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds	25pF @ 15V
ประเภท FET	P-Channel
ขยายคำอธิบาย	JFET P-Channel 90mA @ 18V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss)	30V
ลักษณะ	P CHANNEL JFET
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	90mA @ 18V

แพคเกจมาตรฐาน	100

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ