APTGV50H120T3G

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APTGV50H120T3G
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APTGV50H120T3G
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	Power Products Catalog
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APTGV50H120T3G
มีสินค้าในสต๊อก: 27094 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.1V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	SP3
ชุด	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์	270W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	SP3
อุณหภูมิในการทำงาน	-
กทช Thermistor	Yes
ประเภทการติดตั้ง	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APTGV50H120T3G
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE	3.6nF @ 25V
อินพุต	Standard
ประเภท IGBT	NPT, Trench Field Stop
ขยายคำอธิบาย	IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3
ลักษณะ	IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด)	250µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	75A
องค์ประกอบ	Full Bridge Inverter

แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ