APT70GR65B2SCD30

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APT70GR65B2SCD30
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APT70GR65B2SCD30
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	APT70GR65B2SCD30
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APT70GR65B2SCD30
มีสินค้าในสต๊อก: 46680 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.4V @ 15V, 70A
ทดสอบสภาพ	433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	19ns/170ns
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ	T-MAX™ [B2]
ชุด	*
เพาเวอร์ - แม็กซ์	595W
บรรจุภัณฑ์	Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน	22 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APT70GR65B2SCD30
ประเภท IGBT	NPT
ค่าใช้จ่ายประตู	305nC
ขยายคำอธิบาย	IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
ลักษณะ	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM)	260A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	134A

แพคเกจมาตรฐาน	1

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ