APT65GP60L2DQ2G

ภาพสำหรับอ้างอิงเท่านั้นติดต่อเราเพื่อดูภาพเพิ่มเติม

EXSHINE รุ่นผลิตภัณฑ์:	EX-APT65GP60L2DQ2G
ผู้ผลิต รุ่นผลิตภัณฑ์:	APT65GP60L2DQ2G
ผู้ผลิต / ยี่ห้อ:	Microsemi
คำอธิบายสั้น ๆ:	IGBT 600V 198A 833W TO264
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:	ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
เงื่อนไข:	New and unused, Original
แผ่นข้อมูลดาวน์โหลด:	APT65GP60L2DQ2(G)
ใบสมัคร:	-
น้ำหนัก:	-
ทางเลือกทดแทน:	-

พร้อมใช้งานแบบเรียลไทม์สำหรับ

APT65GP60L2DQ2G
มีสินค้าในสต๊อก: 90680 ชิ้นสามารถจัดส่งใน 1-2 วัน
ฟิวเจอร์สต็อก: 12000 ชิ้นใน 7-10 วัน
เวลานำผู้ผลิต: 8-10 สัปดาห์

พารามิเตอร์ผลิตภัณฑ์

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด)	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี	2.7V @ 15V, 65A
ทดสอบสภาพ	400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C	30ns/90ns
การสลับพลังงาน	605µJ (on), 895µJ (off)
ชุด	POWER MOS 7®
เพาเวอร์ - แม็กซ์	833W
บรรจุภัณฑ์	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์	TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น	APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง	Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL)	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต	APT65GP60L2DQ2G
ประเภทขาเข้า	Standard
ประเภท IGBT	PT
ค่าใช้จ่ายประตู	210nC
ขยายคำอธิบาย	IGBT PT 600V 198A 833W Through Hole
ลักษณะ	IGBT 600V 198A 833W TO264
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM)	250A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด)	198A

ชื่ออื่น	APT65GP60L2DQ2GMI APT65GP60L2DQ2GMI-ND
แพคเกจมาตรฐาน	25

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการชำระเงินด้านล่าง กรุณาติดต่อทีมขายของเราหากคุณมีคำถามใด ๆ

คุณสามารถเลือกตัวเลือกการจัดส่งด้านล่างติดต่อทีมขายของเราเพื่อตรวจสอบค่าจัดส่งตามที่อยู่ของคุณ

หากคุณไม่ต้องการใช้บริการจัดส่งของเราคุณสามารถจัดให้มีการรับสินค้าจากคลังสินค้าของเราหรือจัดส่งโดยบัญชีผู้จัดส่งของคุณ